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IRF3709ZCL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 87A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：87A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.3 毫欧 @ 21A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2130pF @ 15V; 功率_最大：79W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRF3709ZCLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 87A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：87A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.3 毫欧 @ 21A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2130pF @ 15V; 功率_最大：79W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRF3709ZCS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：87A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.3 毫欧 @ 21A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2130pF @ 15V; 功率_最大：79W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF3709ZCSTRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：87A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.3 毫欧 @ 21A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2130pF @ 15V; 功率_最大：79W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF3709ZCSTRR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：87A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.3 毫欧 @ 21A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2130pF @ 15V; 功率_最大：79W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF3709ZL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 87A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：87A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.3 毫欧 @ 21A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2130pF @ 15V; 功率_最大：79W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IXFN80N50Q3
FET IXYS SOT-227-4，miniBLOC MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227
IRF3709STRLPBF
FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
HLMP-AL71-Z20DD
LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 径向 LED OVAL 5MM ALINGAP 590NM AMBER
HFBR-4402Z
配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK PORT CAPS SMA 500EA
ISL88013IH546Z-TK
PMIC - 监控器 Intersil SC-74A，SOT-753 IC VOLTAGE MONITOR DUAL SOT23-5
IXFP10N60P
FET - 单 IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
IRFR24N15DTRPBF
FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 150V 24A DPAK
FVXO-LC52B-148.5
振荡器 Fox Electronics 6-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 148.5 MHZ 2.5V LVDS SMD
CY7C1361C-133AJXCT
存储器 Cypress Semiconductor Corp 100-LQFP IC SRAM 9MBIT 133MHZ 100LQFP
IXFQ28N60P3
FET - 单 IXYS TO-3P-3，SC-65-3 MOSFET N-CH 600V 28A TO3P
HFBR-4411
配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK NUTSWASHERS 100EA ST
IRFR2905ZTRPBF
FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
ISL88015EVAL1Z
评估演示板和套件 Intersil SC-74A，SOT-753 BOARD EVALUATION FOR ISL88015
FVXO-LC52B-311
振荡器 Fox Electronics 6-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 311 MHZ 2.5V LVDS SMD
CY7C136-25NXCT
存储器 Cypress Semiconductor Corp 52-QFP IC SRAM 16KBIT 25NS 52QFP

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