IRF3709S详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：90A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 15A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2672pF @ 16V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRF3709SPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：90A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 15A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2672pF @ 16V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRF3709STRL详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：90A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 15A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2672pF @ 16V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
IRF3709STRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：90A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 15A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2672pF @ 16V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
IRF3709STRR详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：90A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 15A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2672pF @ 16V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
IRF3709STRRPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：90A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 15A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2672pF @ 16V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC REG LDO 3.6V .15A SOT23-5
- 晶体 ECS Inc 4-SMD，无引线（DFN，LCC） CRYSTAL 18.432MHZ 20PF SMD
- FET - 单 International Rectifier TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 30V 90A TO-262
- 固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 220UH 5% 1812
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC REG CTRLR BUCK PWM VM 14-SOIC
- FET - 单 IXYS TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 500V 200MA TO-251
- 晶体 ECS Inc HC46/X CRYSTAL 13.56000 MHZ 20PF
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 IC OPAMP 2.7V RRIO SNGL SC70-6
- 晶体 ECS Inc 4-SMD，无引线（DFN，LCC） CRYSTAL 18.432MHZ 20PF SMD
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 5-UFBGA IC REG LDO 2.7V .15A 5USMD
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 24-SSOP（0.154"，3.90mm 宽） IC REG CTRLR BUCK PWM CM 24-QSOP
- 晶体 ECS Inc 4-SMD，无引线（DFN，LCC） CRYSTAL 13.560 MHZ 8PF SMD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OPAMP GP R-R 1MHZ DUAL 8SOIC
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 18.432MHZ 20PF SMD
- FET - 单 International Rectifier TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 30V 87A TO-262
0755-82561519 
0755-88917652 
0755-88291559 
19166203057 
0755-84507209 
0755-82542579 
0512-67241533 
010-62962871、 
0755-83679110 
18913062888 
0755-83242658 
0755-82561519 
0755-18503085 
0755-23919407 
15112667855 
