IRF3707ZCS 全国供应商、价格、PDF资料
IRF3707ZCS详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：59A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫欧 @ 21A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1210pF @ 15V
- 功率_最大：57W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRF3707ZCSPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：59A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫欧 @ 21A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 25µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1210pF @ 15V
- 功率_最大：57W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRF3707ZCSTRLP详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：59A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫欧 @ 21A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1210pF @ 15V
- 功率_最大：57W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
IRF3707ZCSTRR详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：59A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫欧 @ 21A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1210pF @ 15V
- 功率_最大：57W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
IRF3707ZCSTRRP详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：59A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫欧 @ 21A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 25µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1210pF @ 15V
- 功率_最大：57W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：Digi-Reel®
IRF3707ZCSTRRP详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：59A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫欧 @ 21A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 25µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1210pF @ 15V
- 功率_最大：57W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：剪切带 (CT)
- FET - 单 International Rectifier TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23
- DC DC Converters Delta Product Groups/Power 8-DIP 模块，1/8 砖 POWER MODULE DC/DC 8TH BRICK 1.8
- FET - 单 International Rectifier TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 30V 59A TO-262
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC TXRX RS485 FAULT PROT 8SOIC
- IGBT - 单路 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB IGBT WARP 600V 40A D2PAK
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 IC REG LDO 3V .15A SC70
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div MNT BRACKET FOR E3S-43 VERT
- FET - 单 International Rectifier TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3
- 背板 - 专用 FCI METRAL HDR RA PWR 5X6
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC TXRX RS485 FAULT PROT 14SOIC
- IGBT - 单路 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB IGBT N-CH 600V 40A D2PAK
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 1.5V .15A/.3A 10-DFN
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div MNT BRACKET FOR E3S-C VERT
- 背板 - 专用 FCI METRAL HDR RA PF 4X6
- FET - 单 International Rectifier TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
0755-22655674 
0755-88917652 
19166203057 
0755-82569753 
0755-82574045 
171-4729-9698 
0755-82533534 
0755-23919407 
19520735817/1 
755-83252273 
0755-82561519 
0755-88291559 
0755-83051566 
