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IRF3707Z详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 59A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：59A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫欧 @ 21A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1210pF @ 15V; 功率_最大：57W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF3707ZCL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 59A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：59A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫欧 @ 21A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1210pF @ 15V; 功率_最大：57W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRF3707ZCLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 59A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：59A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫欧 @ 21A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 25µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1210pF @ 15V; 功率_最大：57W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRF3707ZCS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：59A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫欧 @ 21A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1210pF @ 15V; 功率_最大：57W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF3707ZCSPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：59A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫欧 @ 21A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 25µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1210pF @ 15V; 功率_最大：57W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF3707ZCSTRLP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：59A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫欧 @ 21A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1210pF @ 15V; 功率_最大：57W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

KAC-9647
图像，相机 Eastman Kodak Company 32-CLCC IC SENSOR IMAGE VGA 32-CLCC
LM5072EVAL/NOPB
评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS Texas Instruments * EVAL BOARD FOR LM5072
LM79L05ACZ/LFT1
PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments TO-226-3、TO-92-3 标准主体 IC REG LDO -5V .1A TO92-3
LM2676SDX-ADJ/NOPB
未定义的系列 Texas Instruments * IC REG BUCK ADJ 3A 14-LLP
IRF3706STRRPBF
FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
IPP034NE7N3 G
FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
LM4911MM
线性 - 音頻放大器 Texas Instruments * IC AMP AUDIO PWR .145W AB 10MSOP
KAC-9647/HEADBOARD
过时/停产零件编号 Eastman Kodak Company HEADBOARD FOR KAC-9647
LM79L05ACZ/NOPB
PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments TO-226-3、TO-92-3 标准主体 IC REG LDO -5V .1A TO92-3
LM2676SDX-ADJ/NOPB
PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Texas Instruments * IC REG BUCK ADJ 3A 14-LLP
K332K15X7RK53H5
陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 3300PF 200V X7R RADIAL
IPP054NE8N G
FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 85V 100A TO-220
KAD2708L-10Q68
数据采集 - 模数转换器 Intersil 68-VFQFN 裸露焊盘 IC ADC 8BIT 105MSPS SGL 68-QFN
LM5073HE-EVAL
评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS Texas Instruments * BOARD EVAL FOR LM5073HE
LM79L15ACM/NOPB
PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC REG LDO -15V .1A 8-SOIC

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