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IRF3706详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：77A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 10V; 功率_最大：88W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF3706L详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 77A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：77A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 10V; 功率_最大：88W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRF3706LPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 77A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：77A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 10V; 功率_最大：88W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRF3706PBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：77A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 10V; 功率_最大：88W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IRF3706S详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：77A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 10V; 功率_最大：88W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF3706SPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：77A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 10V; 功率_最大：88W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF3704STRLPBF
FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
IXTT88N15
FET - 单 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA MOSFET N-CH 150V 88A TO-268
ISL6422BEVEZ-T
PMIC - 稳压器 - 专用型 Intersil 38-TFSOP （0.173"，4.40mm 宽）裸露焊盘 IC VREG DUAL LNB W/I2C 38EPTSSOP
LMV339IPWRE4
线性 - 比较器 Texas Instruments 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC QUAD LV COMPARATOR 14-TSSOP
ECS-184-18-5P-TR
晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 18.432MHZ 18PF SMD
LP2985IM5-4.8/NOPB
PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC REG LDO 4.8V .15A SOT23-5
ISL6423BERZ-T
PMIC - 稳压器 - 专用型 Intersil 24-VFQFN 裸露焊盘 IC VREG SGL LNB W/I2C 24-QFN
IXTT88N30P
FET - 单 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA MOSFET N-CH 300V 88A TO-268
ECS-135.600-CDX-0374
晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 13.560 MHZ 12PF SMD
ISC1812RV1R0J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 1.0UH 5% 1812
ECS-184-20-1
晶体 ECS Inc HC49/U CRYSTAL 18.432 MHZ 20PF 49UA
LP2985IM5X-2.0/NOPB
PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC REG LDO 2V .15A SOT23-5
IXTT90P10P
FET - 单 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA MOSFET P-CH 100V 90A TO-268
ISL6425ER
PMIC - 稳压器 - 专用型 Intersil 32-VFQFN 裸露焊盘 IC REG DUAL LNBP TTL-INP 32-QFN
LMV339MX
线性 - 比较器 Texas Instruments * IC COMPARATOR TINY QUAD 14-SOIC

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