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IRF3704ZCLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 67A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：67A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.9 毫欧 @ 21A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1220pF @ 10V; 功率_最大：57W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRF3704ZCS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：67A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.9 毫欧 @ 21A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1220pF @ 10V; 功率_最大：57W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF3704ZCSTRLP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：67A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.9 毫欧 @ 21A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1220pF @ 10V; 功率_最大：57W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF3704ZCSTRRP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：67A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.9 毫欧 @ 21A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1220pF @ 10V; 功率_最大：57W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF3704ZLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 67A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：67A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.9 毫欧 @ 21A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1220pF @ 10V; 功率_最大：57W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA; 供应商设备封装：TO-262; 包装：管件

IRF3704ZPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 67A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：67A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.9 毫欧 @ 21A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1220pF @ 10V; 功率_最大：57W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

IMP8-3V-2W-1L-00-A
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
F152K53Y5RP63K7R
陶瓷 Vishay BC Components 径向，圆盘 CAP CER 1500PF 2KV 10% RADIAL
CRT1-OD16TAH-1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 16 OUT PNP 3 TIER
IRF3704ZLPBF
FET - 单 International Rectifier TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 20V 67A TO-262
IPD068P03L3 G
FET - 单 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
CRT1-OD16TAH-1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 16 OUT PNP 3 TIER
IPD075N03L G
FET - 单 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
IHLP2525CZERR33M06
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 0.33UH 20A SMD
IMP8-3W-3W-00-A
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
CRT1-OD32S
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 32 OUT NPN ECON
IPD082N10N3 G
FET - 单 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
CRT1-OD32SH
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 32 OUT NPN ECON
IPD090N03L G
FET - 单 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
IHLP2525CZERR33M07
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 0.33UH 20A SMD
IMPSERIESCONFIGURABLE
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power POWER SUPPLY IMP SERIES CONFIG

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