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IRF3704SPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：77A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1996pF @ 10V; 功率_最大：87W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF3704STRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：77A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1996pF @ 10V; 功率_最大：87W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF3704STRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：77A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1996pF @ 10V; 功率_最大：87W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：剪切带 (CT)

IRF3704STRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：77A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1996pF @ 10V; 功率_最大：87W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF3704STRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：77A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1996pF @ 10V; 功率_最大：87W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：Digi-Reel®

IRF3704STRR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：77A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1996pF @ 10V; 功率_最大：87W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

H8MMH-5006G
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM50H/AE50G/HDM50H
H2BXG-10105-A4-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A2015A/X 5"
IRF3704STRLPBF
FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
GT1-ROP08
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TERM BLOCK 8PT RELAY OUTPUT
IRF7424TR
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
H2AXT-10108-N4-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1502TR/A2015N/X 8"
H2BXG-10105-A6-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3049A/X 5"
FFVE6N0356K7X
薄膜 AVX Corporation 径向，Can - 螺丝端子 CAP FILM 35UF 1.9KVDC SCREW
H8MMH-6006G
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM60H/AE60G/HDM60H
GT1-TS04T
配件 Omron Electronics Inc-IA Div MULTIPLE IO 4 T/C INPUTS
IRF7424TRPBF
FET - 单 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
H2AXT-10108-Y6-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1502TR/A3049Y/X 8"
FFVI6L0476K--
薄膜 AVX Corporation 径向，Can - 螺丝端子 CAP FILM 47UF 1.1KVDC SCREW
H2BXG-10105-B8-ND
跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3048B/X 5"
H8MMH-6018G
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM60H/AE60G/HDM60H

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