IRF2907ZLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 75V 75A TO262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：160A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫欧 @ 75A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：270nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：7500pF @ 25V
- 功率_最大：300W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商设备封装：TO-262
- 包装：管件
IRF2907ZPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：160A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫欧 @ 75A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：270nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：7500pF @ 25V
- 功率_最大：300W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
IRF2907ZS-7PPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK7
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：160A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 毫欧 @ 110A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：7580pF @ 25V
- 功率_最大：300W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB
- 供应商设备封装：D2PAK（7-Lead）
- 包装：管件
IRF2907ZSPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：160A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫欧 @ 75A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：270nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：7500pF @ 25V
- 功率_最大：300W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：管件
IRF2907ZSTRL7PP详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK-7
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：160A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 毫欧 @ 110A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：7580pF @ 25V
- 功率_最大：300W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB
- 供应商设备封装：D2PAK（7-Lead）
- 包装：带卷 (TR)
IRF2907ZSTRL7PP详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK-7
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：160A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 毫欧 @ 110A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：7580pF @ 25V
- 功率_最大：300W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB
- 供应商设备封装：D2PAK（7-Lead）
- 包装：Digi-Reel®
- FET - 单 International Rectifier 6-PowerVDFN MOSFET P-CH 20V 15A 2X2 PQFN
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 24-VFQFN 裸露焊盘 IC RCVR RS485/422 QD ESD 24QFN
- FET - 单 International Rectifier TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 75V 75A TO262
- FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
- 光学 - 光断续器 - 槽型 - 逻辑输出 Omron Electronics Inc-IA Div 模块，预接线 EMITTER ONLY FOR E3Z-T61
- 评估板 - 线性稳压器 (LDO) Intersil EVAL BOARD 2.85V/2.85V ISL9000KK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div BRACKET MOUNT FOR VERT E3S-A
- 固定式 TT Electronics/BI 径向 RADIAL LEAD INDUCTORS
- FET - 单 International Rectifier 6-PowerVDFN MOSFET N-CH 20V 10A PQFN
- 光学 - 光断续器 - 槽型 - 逻辑输出 Omron Electronics Inc-IA Div 模块，预接线 NPN,T-B,TWIST&CLICK, M12
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div L-BRACKET E3S VERT SENSORS
- 评估板 - 线性稳压器 (LDO) Intersil EVAL BOARD 3.3V/2.5V ISL9000NF
- 固定式 TT Electronics/BI 径向 RADIAL LEAD INDUCTORS
- FET - 单 International Rectifier TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP
0755-82561519 
0755-83514939 
13510131896 
0755-88917652 
0755-82578309 
755-83241160（ 
0755-88291559 
0755-83223003 
0755-22655674 
19166203057 
0755-82533156 
755-83252273 
0755-83051566 
0755-84507209 
0755-82533534 
0512-67241533 
