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IRF2807ZS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：75V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.4 毫欧 @ 53A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3270pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF2807ZSPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：75V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.4 毫欧 @ 53A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3270pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF2807ZSTRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：75V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.4 毫欧 @ 53A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3270pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF2807ZSTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：75V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.4 毫欧 @ 53A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3270pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：剪切带 (CT)

IRF2807ZSTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：75V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.4 毫欧 @ 53A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3270pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF2807ZSTRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：75V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.4 毫欧 @ 53A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3270pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：Digi-Reel®

ISL32272EIBZ-T
接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC XMITTER ESD RS422 LP 16-SOIC
IRLH5030TR2PBF
FET - 单 International Rectifier 8-PowerVQFN MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
E3Z-T61-J0SHW-M1
光学 - 光断续器 - 槽型 - 逻辑输出 Omron Electronics Inc-IA Div 模块，预接线 SENSOR PHOTOELECTR 15M M12 CONN
IRF2807ZPBF
FET - 单 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
E39-L52
配件 Omron Electronics Inc-IA Div BRACKET FOR E3SA
ISL9000IRPLZ-T
PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 1.85V/2.9V .3A 10-DFN
HM17-895100LF
固定式 TT Electronics/BI 径向 RADIAL LEAD INDUCTORS
IRLHM620TR2PBF
FET - 单 International Rectifier 8-VQFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
ISL32273EFBZ
接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC RCVR RS485/422 QD ESD 16SOIC
IRFZ46L
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 50V 50A D2PAK
E39-L52
配件 Omron Electronics Inc-IA Div BRACKET FOR E3SA
ISL9000KJEV2
过时/停产零件编号 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 EVAL BOARD 2.85V/2.8V ISL9000KJ
HM17-895120LF
固定式 TT Electronics/BI 径向 RADIAL LEAD INDUCTORS
IRLHS2242TR2PBF
FET - 单 International Rectifier 6-PowerVDFN MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN
ISL32275EIVZ-T
接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC RCVR RS485/422 QD ESD 16TSSOP

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