IRF2804S的供应信息|PDF资料|求购IRF2804S上51电子网

IRF2804S-7P详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK7; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：160A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.6 毫欧 @ 160A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：6930pF @ 25V; 功率_最大：330W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB; 供应商设备封装：D2PAK（7-Lead）; 包装：管件

IRF2804S-7PPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：160A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.6 毫欧 @ 160A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：6930pF @ 25V; 功率_最大：330W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB; 供应商设备封装：D2PAK（7-Lead）; 包装：管件

IRF2804SPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 毫欧 @ 75A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：240nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：6450pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：管件

IRF2804STRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 毫欧 @ 75A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：240nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：6450pF @ 25V; 功率_最大：330W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRF2804STRL7PP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：160A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.6 毫欧 @ 160A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：6930pF @ 25V; 功率_最大：330W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB; 供应商设备封装：D2PAK（7-Lead）; 包装：剪切带 (CT)

IRF2804STRL7PP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：160A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.6 毫欧 @ 160A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：6930pF @ 25V; 功率_最大：330W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB; 供应商设备封装：D2PAK（7-Lead）; 包装：带卷 (TR)

FAD1-12038CSHW32
风扇 - DC Qualtek FAN 120X38.5MM 12VDC SLEEVE WIRE
F750J108KRC
钽 Nichicon 2824（7260 公制） CAP TANT 1000UF 6.3V 10% 2824
CRCW2512187RFKEG
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 187 OHM 1W 1% 2512 SMD
IMC1812RQ101J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 100UH 5% 1812
IRF2804STRL7PP
FET - 单 International Rectifier TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
FAD1-12038CSJW32
风扇 - DC Qualtek FAN 120X38.5MM 12VDC SLEEVE WIRE
EYM08DRMT-S288
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 16POS .156 EXTEND
F750J227MCC
钽 Nichicon 2812（7132 公制） CAP TANT 220UF 6.3V 20% 2812
FAD1-12038CSLW32
风扇 - DC Qualtek FAN 120X38.5MM 12VDC SLEEVE WIRE
F750J337KDC
钽 Nichicon 2917（7343 公制） CAP TANT 330UF 6.3V 10% 2917
IMC1812RQ101K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 100UH 10% 1812
FAD1-12038DBAW12
风扇 - DC Qualtek FAN 120X38.5MM 24VDC BALL WIRE
EYM08DRSD-S288
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 16POS .156 EXTEND
F750J477KDC
钽 Nichicon 2917（7343 公制） CAP TANT 470UF 6.3V 10% 2917
FAD1-12038DHAW32
风扇 - DC Qualtek FAN 120X38.5MM 24VDC HYDRO WIRE

IRF2804S 全国供应商、价格、PDF资料