IRF2204 全国供应商、价格、PDF资料

IRF2204LPBF详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 40V 170A TO-262

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：40V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：170A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.6 毫欧 @ 130A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：5890pF @ 25V

功率_最大：200W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

供应商设备封装：TO-262

包装：管件

IRF2204PBF详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 40V 210A TO-220AB

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：40V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：210A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.6 毫欧 @ 130A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：5890pF @ 25V

功率_最大：330W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商设备封装：TO-220AB

包装：管件

IRF2204SPBF详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 40V 170A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：40V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：170A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.6 毫欧 @ 130A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：200nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：5890pF @ 25V

功率_最大：200W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商设备封装：D2PAK

包装：管件