IR2011详细规格
- 类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
- 描述：HI/LO SIDE DRVR 8-DIP
- 系列：-
- 制造商：International Rectifier
- 类型：
- 配置：高端和低端，独立
- 输入类型：非反相
- 延迟时间：80ns
- 导通电阻：
- 电流_峰值：1A
- 电流_输出/通道：
- 配置数：1
- 电流_峰值输出：
- 输出数：2
- 高压侧电压_最大值（自举）：200V
- 电压_电源：10 V ~ 20 V
- 工作温度：-40°C ~ 125°C
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：8-DIP（0.300"，7.62mm）
- 供应商器件封装：8-DIP
- 包装：管件
IR2011PBF详细规格
- 类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
- 描述：IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-DIP
- 系列：-
- 制造商：International Rectifier
- 类型：
- 配置：高端和低端，独立
- 输入类型：非反相
- 延迟时间：80ns
- 导通电阻：
- 电流_峰值：1A
- 电流_输出/通道：
- 配置数：1
- 电流_峰值输出：
- 输出数：2
- 高压侧电压_最大值（自举）：200V
- 电压_电源：10 V ~ 20 V
- 工作温度：-40°C ~ 125°C
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：8-DIP（0.300"，7.62mm）
- 供应商器件封装：8-DIP
- 包装：管件
IR2011S详细规格
- 类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
- 描述：HI/LO SIDE DRVR 8SOIC
- 系列：-
- 制造商：International Rectifier
- 类型：
- 配置：高端和低端，独立
- 输入类型：非反相
- 延迟时间：80ns
- 导通电阻：
- 电流_峰值：1A
- 电流_输出/通道：
- 配置数：1
- 电流_峰值输出：
- 输出数：2
- 高压侧电压_最大值（自举）：200V
- 电压_电源：10 V ~ 20 V
- 工作温度：-40°C ~ 125°C
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SOIC N
- 包装：管件
IR2011SPBF详细规格
- 类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
- 描述：HI/LO SIDE DRVR 8SOIC
- 系列：-
- 制造商：International Rectifier
- 类型：
- 配置：高端和低端，独立
- 输入类型：非反相
- 延迟时间：80ns
- 导通电阻：
- 电流_峰值：1A
- 电流_输出/通道：
- 配置数：1
- 电流_峰值输出：
- 输出数：2
- 高压侧电压_最大值（自举）：200V
- 电压_电源：10 V ~ 20 V
- 工作温度：-40°C ~ 125°C
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SOIC N
- 包装：管件
IR2011STR详细规格
- 类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
- 描述：HI/LO SIDE DRVR 8SOIC
- 系列：-
- 制造商：International Rectifier
- 类型：
- 配置：高端和低端，独立
- 输入类型：非反相
- 延迟时间：80ns
- 导通电阻：
- 电流_峰值：1A
- 电流_输出/通道：
- 配置数：1
- 电流_峰值输出：
- 输出数：2
- 高压侧电压_最大值（自举）：200V
- 电压_电源：10 V ~ 20 V
- 工作温度：-40°C ~ 125°C
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SOIC N
- 包装：带卷 (TR)
IR2011STRPBF详细规格
- 类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
- 描述：HI/LO SIDE DRVR 8SOIC
- 系列：-
- 制造商：International Rectifier
- 类型：
- 配置：高端和低端，独立
- 输入类型：非反相
- 延迟时间：80ns
- 导通电阻：
- 电流_峰值：1A
- 电流_输出/通道：
- 配置数：1
- 电流_峰值输出：
- 输出数：2
- 高压侧电压_最大值（自举）：200V
- 电压_电源：10 V ~ 20 V
- 工作温度：-40°C ~ 125°C
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SOIC N
- 包装：带卷 (TR)
- FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
- IGBT - 单路 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB IGBT ULT FAST 600V 31A D2PAK
- 跳线，预压接线 Hirose Electric Co Ltd 9-DIP 模块，1/2 砖 JUMPER-H9991TR/A3047A/H9991TR 3"
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 6.3PF 25V NP0 0201
- 固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 22UH 10% 1812
- 红外发射器，UV 发射器 Everlight Electronics Co Ltd 0603（1608 公制） LED IR GAA1AS WATER CLEAR SMD
- IGBT - 单路 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB N-CHAN IGBT 600V 31A COPAK D2PAK
- FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
- IGBT - 单路 International Rectifier TO-220-3 IGBT UFAST 600V 28A TO-220AB
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 6.4PF 25V NP0 0201
- 固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 2.2UH 5% 1812
- IGBT - 单路 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB IGBT UFAST 600V 28A D2PAK
- FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
- IGBT - 单路 International Rectifier TO-220-3 IGBT UFAST 600V 23A TO-220AB
- 固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 33UH 10% 1812
19166203057 
0755-22655674 
0755-82569753 
0755-82798529 
0755-23613962 
0755-82574045 
0755-82533534 
0755-82525087 
021-62153656青 
0755-23051326 
755-83252273 
0755-82561519 
0755-88291559 
0755-83051566 
028-87781882 
18823461028 
