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IPP80N06S2L-09详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫欧 @ 52A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 125µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：105nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2620pF @ 25V; 功率_最大：190W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：PG-TO220-3; 包装：管件

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