

IPB06N03LA详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:50A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.9 毫欧 @ 30A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 40µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2653pF @ 15V
- 功率_最大:83W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:PG-TO263-3
- 包装:剪切带 (CT)
IPB06N03LA详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:50A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.9 毫欧 @ 30A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 40µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2653pF @ 15V
- 功率_最大:83W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:PG-TO263-3
- 包装:带卷 (TR)
IPB06N03LA G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:50A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.9 毫欧 @ 30A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 40µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2653pF @ 15V
- 功率_最大:83W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:PG-TO263-3
- 包装:带卷 (TR)
IPB06N03LAT详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:50A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.9 毫欧 @ 30A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 40µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2653pF @ 15V
- 功率_最大:83W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:PG-TO263-3
- 包装:剪切带 (CT)
IPB06N03LAT详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:50A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.9 毫欧 @ 30A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 40µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2653pF @ 15V
- 功率_最大:83W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:PG-TO263-3
- 包装:带卷 (TR)
IPB06N03LB详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
- 系列:OptiMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:50A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.3 毫欧 @ 50A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 40µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2782pF @ 15V
- 功率_最大:83W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:P-TO263-3
- 包装:带卷 (TR)
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 7POS SKT
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS FIBER OPTIC SCREW SHAPED M6
- FET - 单 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 22POS FLANGE W/PINS
- 固定式 Vishay Dale 1210(3225 公制) INDUCTOR WW 8.2UH 5% 1210
- 近程 Omron Electronics Inc-IA Div M12 SHD,M12,PNP,4MM,NO2MCBL
- 风扇 - DC EBM-Papst Industries Inc FAN TUBEAXIAL 171.5X50.8MM 48VDC
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 7POS SKT
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS FIBER OPTIC SCREW SHAPED M6
- 固定式 Vishay Dale INDUCTOR WW 100NH 10% 1210
- 近程 Omron Electronics Inc-IA Div M12 PROXIMITY SENSOR M12 4MM PNP NO
- 振荡器 Connor-Winfield - OSC TCXO 12.800 MHZ 3.3V SMD
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 7POS JAM NUT W/PINS
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS FIBER OPTIC CABLE
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 22POS FLANGE W/SKT