IMH20TR1详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS NPN DUAL BIAS 500MA SC74-6
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：600mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：15V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：2.2k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 50mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：80mV @ 2.5mA，50mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 频率_转换：-
- 功率_最大：300mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-74，SOT-457
- 供应商设备封装：SC-74R
- 包装：带卷 (TR)
IMH20TR1G详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS NPN DUAL BIAS 500MA SC74-6
- 系列：-
- 制造商：ON Semiconductor
- 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：600mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：15V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：2.2k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 50mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：80mV @ 2.5mA，50mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 频率_转换：-
- 功率_最大：300mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-74，SOT-457
- 供应商设备封装：SC-74R
- 包装：带卷 (TR)
IMH21T110详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS DIGITAL NPN 20V 600MA SMT6
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：600mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：20V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：10k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：820 @ 50mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：150mV @ 2.5mA，50mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 频率_转换：150MHz
- 功率_最大：300mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-74，SOT-457
- 供应商设备封装：SMT6
- 包装：带卷 (TR)
IMH23T110详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS NPN DUAL DTR/DTR 600MA SMT
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：600mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：20V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：820 @ 50mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：150mV @ 2.5mA，50mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 频率_转换：150MHz
- 功率_最大：300mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-74，SOT-457
- 供应商设备封装：SMT6
- 包装：带卷 (TR)
IMH23T110详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS NPN DUAL DTR/DTR 600MA SMT
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：600mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：20V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：820 @ 50mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：150mV @ 2.5mA，50mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 频率_转换：150MHz
- 功率_最大：300mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-74，SOT-457
- 供应商设备封装：SMT6
- 包装：剪切带 (CT)
IMH23T110详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述：TRANS NPN DUAL DTR/DTR 600MA SMT
- 系列：-
- 制造商：Rohm Semiconductor
- 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
- 电流_集电极333Ic444（最大）：600mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：20V
- 电阻器_基极333R1444（欧）：4.7k
- 电阻器_发射极333R2444（欧）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：820 @ 50mA，5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：150mV @ 2.5mA，50mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 频率_转换：150MHz
- 功率_最大：300mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-74，SOT-457
- 供应商设备封装：SMT6
- 包装：Digi-Reel®
- RF 二极管 Avago Technologies US Inc. SC-70，SOT-323 DIODE PIN ATTENUATOR CA SOT-323
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） CAP FILM 4700PF 16VDC 0805
- 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 Rohm Semiconductor SC-74，SOT-457 TRANS DUAL NPN 50V 100MA SOT-457
- 电容器 Panasonic Electronic Components 径向，罐 - 卡入式 - 4 引线 CAP ALUM 10000UF 100V 20% SNAP
- FET - 单 IXYS TO-264-3，TO-264AA MOSFET N-CH 200V 160A TO-264
- 配件 Honeywell Sensing and Control 模块 TOGGLE SW HDW
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OPAMP GP 2.5MHZ QUAD 14SOIC
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.1UF 50V 20% RADIAL
- RF 二极管 Avago Technologies US Inc. TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE PIN SWITCH 50V SOT-23
- 电容器 Panasonic Electronic Components 径向，罐 - 卡入式 - 4 引线 CAP ALUM 2700UF 200V 20% SNAP
- FET - 单 IXYS TO-264-3，TO-264AA MOSFET N-CH 150V 180A TO-264
- 配件 Honeywell Sensing and Control 模块 TOGGLE SW HDW
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OPAMP GP 2.5MHZ QUAD 14SOIC
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 0.1UF 100V 20% RADIAL
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制） CAP FILM 0.047UF 16VDC 1206
0755-82533156 
0755-82561519 
13510131896 
0755-82569753 
0755-22655674 
19166203057 
0755-84507209 
0512-67241533 
18926544209/1 
0755-82568894 
010-62962871、 
13717008271 
0755-83244680 
010-62962871、 
0755-23612326 
0755-82723761 
