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IDT71V65803S100BG详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 9MBIT 100MHZ 119BGA; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 同步 ZBT; 存储容量：9M（512K x 18）; 速度：100MHz; 接口：并联; 电压_电源：3.135 V ~ 3.465 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：119-BGA; 供应商器件封装：119-PBGA（14x22）; 包装：托盘

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铁氧体磁珠和芯片 Vishay Dale 0603（1608 公制） FERRITE BEAD 750 OHM 0603
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网络、阵列 Vishay Thin Film 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） RES ARRAY 10K OHM 4 RES 8-SOIC
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铁氧体磁珠和芯片 Vishay Dale 0603（1608 公制） FERRITE BEAD 80 OHM 0603
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存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 9MBIT 100MHZ 100TQFP

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