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IDT71V65802S133BG详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 9MBIT 133MHZ 119BGA; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 同步 ZBT; 存储容量：9M（512K x 18）; 速度：133MHz; 接口：并联; 电压_电源：3.135 V ~ 3.465 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：119-BGA; 供应商器件封装：119-PBGA（14x22）; 包装：托盘

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IDT71V65802S133BG
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 119-BGA IC SRAM 9MBIT 133MHZ 119BGA
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Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OPAMP GP 1MHZ SGL PREC 8SOIC
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TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-204AC，DO-15，轴向 TVS 600W 480V 5% UNIDIR AXIAL
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RF 评估和开发套件，板 NXP Semiconductors RF EVAL FOR BGU7005
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网络、阵列 Vishay Thin Film 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） RES ARRAY 500 OHM 4 RES 8-SOIC
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TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-204AC，DO-15，轴向 DIODE TVS 434V 600W 5% UNI AXL
OSTEM187150
接线座 - 接头，插头和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 18POS 5MM
ILB1206ER152V
铁氧体磁珠和芯片 Vishay Dale 1206（3216 公制） FERRITE BEAD 1500 OHM 1206
P51-75-S-D-I12-5V-000-000
压力 SSI Technologies Inc 不锈钢 SENSOR 75PSIS 7/16 UNF 5V 12"
OM7815/BGU7008/FE,598
RF 评估和开发套件，板 NXP Semiconductors SOT-115BA RF EVAL FOR BGU7008
IDT71V65802S133BQ8
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 165-TBGA IC SRAM 9MBIT 133MHZ 165FBGA

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