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IDT71V124SA10YGI8详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 1MBIT 10NS 32SOJ; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 异步; 存储容量：1M (128K x 8); 速度：10ns; 接口：并联; 电压_电源：3.15 V ~ 3.6 V; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：32-BSOJ; 供应商器件封装：32-SOJ; 包装：Digi-Reel®

IDT71V124SA10YGI8详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 1MBIT 10NS 32SOJ; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 异步; 存储容量：1M (128K x 8); 速度：10ns; 接口：并联; 电压_电源：3.15 V ~ 3.6 V; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：32-BSOJ; 供应商器件封装：32-SOJ; 包装：剪切带 (CT)

IDT71V124SA10YGI8详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 1MBIT 10NS 32SOJ; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 异步; 存储容量：1M (128K x 8); 速度：10ns; 接口：并联; 电压_电源：3.15 V ~ 3.6 V; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：32-BSOJ; 供应商器件封装：32-SOJ; 包装：带卷 (TR)

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IDT71V124SA10YG8
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IF 637-1-0
光纤 Industrial Fiberoptics 9-DIP 模块 SERCOS II POF PATCH SMA 1M
ECH-S1124JZ
薄膜 Panasonic Electronic Components 径向 CAP FILM 0.12UF 100VDC RADIAL
LLL219R70J105MA01L
陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制）宽（长侧）0508（1220 公制） CAP CER 1UF 6.3V 20% X7R 0508
ICS9LPRS478CKLFT
时钟/计时 - 专用 IDT, Integrated Device Technology Inc 72-VFQFN 裸露焊盘 IC SYST CLK PROGR K8TM 72-VFQFPN
LM239DR2G
线性 - 比较器 ON Semiconductor 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC COMP QUAD SGL SUPPLY 14SOIC

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