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IDT71V016SA20Y8详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 1MBIT 20NS 44SOJ; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 异步; 存储容量：1M (64K x 16); 速度：20ns; 接口：并联; 电压_电源：3 V ~ 3.6 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：44-BSOJ; 供应商器件封装：44-SOJ; 包装：带卷 (TR)

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陶瓷 Vishay BC Components 径向 CAP CER 330PF 50V 10% RADIAL
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光纤 Industrial Fiberoptics 9-DIP 模块 DUPLEX PATCH CORDS W/CONN
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FET - 阵列 ON Semiconductor 8-SMD，扁平引线 MOSFET N/P-CH 60V 3/2A ECH8
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PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments TO-220-3 IC REG LDO NEG ADJ 1.5A TO-220
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陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制）宽（长侧）0508（1220 公制） CAP CER 0.1UF 16V 20% X7R 0508
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时钟/计时 - 专用 IDT, Integrated Device Technology Inc 48-VFQFN 裸露焊盘 IC CLOCK GENERATOR 48MLF

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