IDT70V659S12BF 全国供应商、价格、PDF资料

IDT70V659S12BF详细规格

类别：存储器

描述：IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA

系列：-

制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc

格式_存储器：RAM

存储器类型：SRAM - 双端口，异步

存储容量：4.5M（128K x 36）

速度：12ns

接口：并联

电压_电源：3.15 V ~ 3.45 V

工作温度：0°C ~ 70°C

封装/外壳：208-LFBGA

供应商器件封装：208-CABGA（15x15）

包装：托盘

IDT70V659S12BF8详细规格

类别：存储器

描述：IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA

系列：-

制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc

格式_存储器：RAM

存储器类型：SRAM - 双端口，异步

存储容量：4.5M（128K x 36）

速度：12ns

接口：并联

电压_电源：3.15 V ~ 3.45 V

工作温度：0°C ~ 70°C

封装/外壳：208-LFBGA

供应商器件封装：208-CABGA（15x15）

包装：带卷 (TR)

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类别：存储器

描述：IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA

系列：-

制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc

格式_存储器：RAM

存储器类型：SRAM - 双端口，异步

存储容量：4.5M（128K x 36）

速度：12ns

接口：并联

电压_电源：3.15 V ~ 3.45 V

工作温度：-40°C ~ 85°C

封装/外壳：208-LFBGA

供应商器件封装：208-CABGA（15x15）

包装：托盘

IDT70V659S12BFGI8详细规格

类别：存储器

描述：IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA

系列：-

制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc

格式_存储器：RAM

存储器类型：SRAM - 双端口，异步

存储容量：4.5M（128K x 36）

速度：12ns

接口：并联

电压_电源：3.15 V ~ 3.45 V

工作温度：-40°C ~ 85°C

封装/外壳：208-LFBGA

供应商器件封装：208-CABGA（15x15）

包装：带卷 (TR)

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类别：存储器

描述：IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA

系列：-

制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc

格式_存储器：RAM

存储器类型：SRAM - 双端口，异步

存储容量：4.5M（128K x 36）

速度：12ns

接口：并联

电压_电源：3.15 V ~ 3.45 V

工作温度：-40°C ~ 85°C

封装/外壳：208-LFBGA

供应商器件封装：208-CABGA（15x15）

包装：托盘

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类别：存储器

描述：IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA

系列：-

制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc

格式_存储器：RAM

存储器类型：SRAM - 双端口，异步

存储容量：4.5M（128K x 36）

速度：12ns

接口：并联

电压_电源：3.15 V ~ 3.45 V

工作温度：-40°C ~ 85°C

封装/外壳：208-LFBGA

供应商器件封装：208-CABGA（15x15）

包装：带卷 (TR)