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IDT70V658S10BC详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 2MBIT 10NS 256BGA; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 双端口，异步; 存储容量：2M（64K x 36）; 速度：10ns; 接口：并联; 电压_电源：3.15 V ~ 3.45 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：256-LBGA; 供应商器件封装：256-CABGA（17x17）; 包装：托盘

IDT70V658S10BC8详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 2MBIT 10NS 256BGA; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 双端口，异步; 存储容量：2M（64K x 36）; 速度：10ns; 接口：并联; 电压_电源：3.15 V ~ 3.45 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：256-LBGA; 供应商器件封装：256-CABGA（17x17）; 包装：带卷 (TR)

IDT70V658S10BCG详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 2MBIT 10NS 256BGA; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 双端口，异步; 存储容量：2M（64K x 36）; 速度：10ns; 接口：并联; 电压_电源：3.15 V ~ 3.45 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：256-LBGA; 供应商器件封装：256-CABGA（17x17）; 包装：托盘

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IDT70V658S10BC HECC GROUP CO，LIMITED 755-88608527（
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IDT70V658S10BC HECC GROUP CO，LIMITED 755-83241160（
IDT70V658S10BCG 深圳市华斯顿电子科技有限公司 0755-83777708
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IDT70V658S10BC 深圳市毅创腾电子科技有限公司 755-83219286
IDT70V658S10BCG 北京元坤国际科技有限公司 010-62962871、
IDT70V658S10BCG 中科航芯（深圳）科技有限公司 18927479189
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IDT70V658S10BCG 深圳市恒意法电子有限公司 18026926850/0
IDT70V658S10BCG 北京首天伟业科技有限公司 010-62962871、
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IDT70V658S10BCG 深圳市昌和盛利电子有限公司 0755-83679110
IDT70V658S10BCI 北京显周科技有限公司 13910052844（微
IDT70V658S10BCI 北京人上科技有限公司 13910052844（微

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IDT70V658S10BC8
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IDT72V71623BC
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GRM3195C2A680JZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 68PF 100V 5% NP0 1206
GRM2165C1H242JA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 2400PF 50V 5% NP0 0805
IDT72V2113L6PFG
逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 80-LQFP IC FIFO SUPERSYNCII 6NS 80TQFP
HVR3700002004FR500
通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 2.00M OHM METAL FILM .50W 1%
LFMMPBS12KFM
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IDT70V658S10BF
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 208-LFBGA IC SRAM 2MBIT 10NS 208FBGA
ICS8792502AKILF
时钟/计时 - 专用 IDT, Integrated Device Technology Inc 32-VFQFN 裸露焊盘 IC CLK BUFFER ZD PLL 32VFQFP

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