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IDT70V3569S6BC详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 576KBIT 6NS 256BGA; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 双端口，同步; 存储容量：576K（16K x 36）; 速度：6ns; 接口：并联; 电压_电源：3.15 V ~ 3.45 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：256-LBGA; 供应商器件封装：256-CABGA（17x17）; 包装：托盘

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嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列） Lattice Semiconductor Corporation 484-BBGA IC FPGA 50KLUTS 339I/O 484-BGA
GRM3166T1H5R0CD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 5PF 50V T2H 1206
ICS85354AKLFT
时钟/计时 - 时钟缓冲器，驱动器 IDT, Integrated Device Technology Inc 16-VFQFN 裸露焊盘 IC CLOCK MUX 2:1/1:2 16-VFQFPN
IDT72V3682L15PFGI
逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 120-LQFP IC FIFO 32768X36 15NS 120QFP
IDT70V34S20PF
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 72KBIT 20NS 100TQFP
HVR2500003013FR500
通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 301K OHM METAL FILM .25W 1%
IDT72851L25TFI
逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 64-LQFP IC FIFO SYNC DUAL 8192X9 64QFP
GRM188R72A222KA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 2200PF 100V 10% X7R 0603
IDT70V9389L6PRF8
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 128-LQFP IC SRAM 1.125MBIT 6NS 128TQFP
IDT72V3683L10PF8
逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 128-LQFP IC FIFO 16384X36 10NS 128-TQFP
GRM3167U1H271JZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 270PF 50V 5% U2J 1206
IDT7285L12PA
逻辑 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 56-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽） IC FIFO 4096X18 12NS 56TSSOP
IDT70V9389L9PRFI
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 128-LQFP IC SRAM 1.125MBIT 9NS 128TQFP
GRM188R72A222KA01J
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 2200PF 100V 10% X7R 0603
ICS8535AG-21LF
时钟/计时 - 时钟缓冲器，驱动器 IDT, Integrated Device Technology Inc 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC CLOCK BUFFER MUX 2:2 14-TSSOP

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