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IDT70V3389S5BCI详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 1.125MBIT 5NS 256BGA; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 双端口，同步; 存储容量：1.125M（64K x 18）; 速度：5ns; 接口：并联; 电压_电源：3.15 V ~ 3.45 V; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：256-LBGA; 供应商器件封装：256-CABGA（17x17）; 包装：托盘

IDT70V3389S5BCI8详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 1.125MBIT 5NS 256BGA; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 双端口，同步; 存储容量：1.125M（64K x 18）; 速度：5ns; 接口：并联; 电压_电源：3.15 V ~ 3.45 V; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：256-LBGA; 供应商器件封装：256-CABGA（17x17）; 包装：带卷 (TR)

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LGW2W391MELB50
电容器 Nichicon 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 390UF 450V 20% SNAP
IDT70V3389S5BC
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 256-LBGA IC SRAM 1.125MBIT 5NS 256BGA
DS1110E-50+
时钟/计时 - 延迟线 Maxim Integrated 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC DELAY LINE 10TAP 14-TSSOP
DTS090133SUDC-P5P-SZ
AC DC 桌面、壁式变压器 CUI Inc TRANSFORMER DESK TOP 9V 1.33A
GRM31M6T2A151JD01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 150PF 100V 5% T2H 1206
IMC1812BN121J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 120UH 5% 1812
DSF100J223
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向 CAP FILM 0.022UF 100VDC RADIAL
IHSM4825ER221L
固定式 Vishay Dale INDUCTOR POWER 220UH .46A SMD
LGX2H101MELZ40
电容器 Nichicon 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 100UF 500V 20% SNAP
GRM31M6T2A471JD01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 470PF 100V 5% T2H 1206
DTS090133SUDC-Z5N
AC DC 桌面、壁式变压器 CUI Inc TRANSF 9VDC 1330MA P5 NEG C
IMC1812BN151J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 150UH 5% 1812
DSF100J333
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向 CAP FILM 0.033UF 100VDC RADIAL
IHSM4825ER270L
固定式 Vishay Dale INDUCTOR POWER 27UH 1.6A SMD
LGX2H680MELZ30
电容器 Nichicon 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 68UF 500V 20% SNAP