HUFA75639G3 全国供应商、价格、PDF资料
HUFA75639G3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 56A TO-247
- 系列：UltraFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：56A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 56A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 20V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2000pF @ 25V
- 功率_最大：200W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商设备封装：TO-247AD
- 包装：管件
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 49A TO-220AB
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 2512（6432 公制） RES 56.0 OHM 16W 1% 2512 SMD
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 7.9PF 100V S2H 0805
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 8.3PF 50V T2H 0402
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 2512（6432 公制） RES 68.0 OHM 16W 1% 2512 SMD
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 8.7PF 50V T2H 0402
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 91PF 100V 5% S2H 0805
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 2512（6432 公制） RES 10.0 OHM 16W 1% 2512 SMD
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 9.3PF 100V S2H 0805
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 9.4PF 50V T2H 0402
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 2512（6432 公制） RES 3.3 OHM 16W 1% 2512 SMD
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-247-3 MOSFET N-CH 100V 75A TO-247
0755-22929859 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83777708 
0755- 8251939 
0755-83231869 
18927479189 
0755-８２７８９２９６ 
0755-83223003 
010-62962871、 
0755-22669259 
0755-83039139 
19520735817/1 
0755-83035161 
13910052844（微 
