HUFA75329P3 全国供应商、价格、PDF资料
HUFA75329P3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 49A TO-220AB
- 系列:UltraFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:49A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:24 毫欧 @ 49A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:75nC @ 20V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1060pF @ 25V
- 功率_最大:128W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 7.9PF 50V T2H 0402
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805(2012 公制) CAP CER 62PF 100V 5% S2H 0805
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 55V 15A DPAK
- AC DC 转换器 Power-One 20-DIP(0.300",7.62mm) PWR SUP 250W 3.3/5/12/-12V QUAD
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223-4
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 2512(6432 公制) RES 39.0 OHM 16W 1% 2512 SMD
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 8PF 50V T2H 0402
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805(2012 公制) CAP CER 7.9PF 100V S2H 0805
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 2512(6432 公制) RES 56.0 OHM 16W 1% 2512 SMD
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805(2012 公制) CAP CER 7.9PF 100V S2H 0805
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 8.3PF 50V T2H 0402
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
- 芯片电阻 - 表面安装 Susumu 2512(6432 公制) RES 68.0 OHM 16W 1% 2512 SMD
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB