FQP6N60C详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 欧姆 @ 2.75A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:810pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220
- 包装:管件
FQP6N60C_F080详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 欧姆 @ 2.75A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:810pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220
- 包装:管件
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 400V 6A TO-220
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向,圆盘 CAP CER 6800PF 3KV 10% RADIAL
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向,圆盘 CAP CER 0.018UF 100V RADIAL
- PMIC - 电池管理 Intersil 16-VQFN 裸露焊盘 IC CHARGER LI-ION POLYMER 16-QFN
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO ADJ 1A 10-DFN
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220
- 桥式整流器 Diodes Inc 4-SMD RECT BRIDGE GP 100V 0.8A MINIDIP
- PMIC - 电池管理 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC CHARGER LI-ION POLYMER 10-DFN
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO ADJ 1A 10-DFN
- 桥式整流器 Diodes Inc 4-SMD RECT BRIDGE GP 200V 0.8A MINIDIP
- PMIC - 电池管理 Intersil 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC FUEL GAUGE LOW VOLT 8-TSSOP
- PMIC - 稳压器 - 线性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盘 IC REG LDO ADJ 2A 10-DFN
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向,圆盘 CAP CER 1.8PF 500V RADIAL
- 晶体管(BJT) - 单路 STMicroelectronics ISOWATT218FX TRANS NPN HV HD/CRT ISOWATT218
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 7.3A TO-220