FQP2N90详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 900V 2.2A TO-220
- 系列：QFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：900V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.2A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.2 欧姆 @ 1.1A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：500pF @ 25V
- 功率_最大：85W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220
- 包装：管件
- RF配件 Laird Technologies IAS MOUNT MAGN 3/4" 58A RTNM
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET P-CH 60V 17A TO-220
- 热 - 垫，片 t-Global Technology 径向，圆盘 H48-2 SHEET 300X300X3MM W/ADH
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 19A TO-220
- 热 - 垫，片 t-Global Technology H48-2 SHEET 640X320X0.5MM W/ADH
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET P-CH 100V 22A TO-220
- 热 - 垫，片 t-Global Technology H48-2 SHEET 640X320X10MM
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 2.1A TO-220
- 热 - 垫，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 150X150X0.5MM W/ADH
- 热 - 垫，片 t-Global Technology THERMAL PAD H48-6 25X25X9MM
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 900V 5.4A TO-220
- RF配件 Laird Technologies IAS MOUNT MAGN 3/4" 58A BNCM
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET P-CH 200V 4.8A TO-220
- RF配件 Laird Technologies IAS MOUNT MAGN 3/4" 58A UHFM
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 700V 6.2A TO-220
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