FQD2N60的供应信息|PDF资料|求购FQD2N60上51电子网

FQD2N60CTF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.7 欧姆 @ 950mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：235pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

FQD2N60CTF_F080详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.7 欧姆 @ 950mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：235pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

FQD2N60CTM详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.7 欧姆 @ 950mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：235pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252-3; 包装：剪切带 (CT)

FQD2N60CTM详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.7 欧姆 @ 950mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：235pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252-3; 包装：带卷 (TR)

FQD2N60CTM详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.7 欧姆 @ 950mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：235pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252-3; 包装：Digi-Reel®

FQD2N60TF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 2A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.7 欧姆 @ 1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

G13C
配件 TE Connectivity GUARD PB 1/4-40 CHROME BRASS
ERJ-S03F4750V
芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0603（1608 公制） RES ANTI-SULFUR 475 OHM 1% 0603
FQD2N60CTM
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
FDMQ8203
FET - 阵列 Fairchild Semiconductor 12-WDFN 裸露焊盘 MOSFET N/P-CH 100V DUAL 12-MLP
FH16M-96S-0.4SHW(05)
FFC，FPC（扁平软线）- 连接器 - 面板安装 Hirose Electric Co Ltd CONN FFC/FPC 96POS .4MM SMD GOLD
ESD7104MUTAG
TVS - 二极管 ON Semiconductor 10-UFDFN IC TVS 4LINE ESD PROTECT 10UDFN
ERA-6YEB241V
芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） RES 240 OHM 1/8W .1% 0805 SMD
FT533DA
PMIC - 稳压器 - 线性 Fremont Micro Devices USA SC-74A，SOT-753 IC REG LDO 1.8V .4A SOT23-5
G13C
配件 TE Connectivity GUARD PB 1/4-40 CHROME BRASS
FDMS0312S
FET - 单 Fairchild Semiconductor * MOSFET N-CH 30V 19A POWER56
ESD7484NCTAG
TVS - 二极管 ON Semiconductor 10-UFBGA，WLCSP DIODE ESD PROTECT 4CH 10-WLCSP
FH19-13S-0.5SH(51)
FFC，FPC（扁平软线）- 连接器 - 面板安装 Hirose Electric Co Ltd CONN FPC/FFC 13POS .5MM SMD TIN
FT533DA
PMIC - 稳压器 - 线性 Fremont Micro Devices USA SC-74A，SOT-753 IC REG LDO 1.8V .4A SOT23-5
ERA-6YEB242V
芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） RES 2.4K OHM 1/8W .1% 0805 SMD
G13C
配件 TE Connectivity GUARD PB 1/4-40 CHROME BRASS

FQD2N60 全国供应商、价格、PDF资料