FQD10N20的供应信息|PDF资料|求购FQD10N20上51电子网

FQD10N20CTF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：360 毫欧 @ 3.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：510pF @ 25V; 功率_最大：50W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

FQD10N20CTM详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：360 毫欧 @ 3.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：510pF @ 25V; 功率_最大：50W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252-3; 包装：剪切带 (CT)

FQD10N20CTM详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：360 毫欧 @ 3.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：510pF @ 25V; 功率_最大：50W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252-3; 包装：Digi-Reel®

FQD10N20CTM详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：360 毫欧 @ 3.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：510pF @ 25V; 功率_最大：50W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252-3; 包装：带卷 (TR)

FQD10N20CTM_F080详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：360 毫欧 @ 3.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：510pF @ 25V; 功率_最大：50W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

FQD10N20LTF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：360 毫欧 @ 3.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：830pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

G120NF112 BK007
螺线形绕线，伸缩套管 Alpha Wire BRAID SLEEVING EXPANDBL 1.5" BLK
FOXSDLF/060-20
晶体 Fox Electronics HC49/US CRYSTAL 6.0 MHZ 20PF SMD
FDMC8200S
FET - 阵列 Fairchild Semiconductor 8-WDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH DUAL 30V 8MLP
FQD10N20CTF
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
FT24C512A-USG-T
存储器 Fremont Micro Devices USA 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC EEPROM 512KBIT 1MHZ 8SOP
ESD5B5.0ST1G
TVS - 二极管 ON Semiconductor SC-79，SOD-523 TVS BIDIRECT 50W SOD523
FH12F-12S-0.5SH(55)
FFC，FPC（扁平软线）- 连接器 - 面板安装 Hirose Electric Co Ltd CONN FPC/FFC 12POS .5MM HORZ SMD
ERA-6ARW563V
芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） RES 56K OHM 1/8W .05% 0805 SMD
FOXSDLF/060-20
晶体 Fox Electronics HC49/US CRYSTAL 6.0 MHZ 20PF SMD
FDMC8200S
FET - 阵列 Fairchild Semiconductor 8-WDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH DUAL 30V 8MLP
ESD5V0D3B-TP
TVS - 二极管 Micro Commercial Co SC-76，SOD-323 ESD PROTECTION 5V SGL SOD-323
FH12F-24S-0.5SH
FFC，FPC（扁平软线）- 连接器 - 面板安装 Hirose Electric Co Ltd CONN FPC/FFC 24POS .5MM HORZ SMD
ERA-6ARW622V
芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） RES 6.2K OHM 1/8W .05% 0805 SMD
G12A
配件 TE Connectivity GUARD PB 1/4-40 CLEAR ALUMINUM
FOXSDLF/060-20
晶体 Fox Electronics HC49/US CRYSTAL 6.0 MHZ 20PF SMD

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