FQB5N50CFTM详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
- 系列：FRFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.55 欧姆 @ 2.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：625pF @ 25V
- 功率_最大：96W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D²PAK
- 包装：带卷 (TR)
FQB5N50CFTM详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
- 系列：FRFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.55 欧姆 @ 2.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：625pF @ 25V
- 功率_最大：96W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D²PAK
- 包装：剪切带 (CT)
FQB5N50CFTM详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
- 系列：FRFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.55 欧姆 @ 2.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：625pF @ 25V
- 功率_最大：96W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D²PAK
- 包装：Digi-Reel®
FQB5N50CTM详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 500V 5A A.D2PAK
- 系列：QFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.4 欧姆 @ 2.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：625pF @ 25V
- 功率_最大：73W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D²PAK
- 包装：带卷 (TR)
FQB5N50TM详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
- 系列：QFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 欧姆 @ 2.25A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：610pF @ 25V
- 功率_最大：3.13W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D²PAK
- 包装：带卷 (TR)
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 0805（2012 公制） CAP FILM 1800PF 50VDC 0805
- 布线管，配线管道 Panduit Corp DUCT WIRE SLOT PVC WHITE 36"
- 振荡器 Fox Electronics 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSCILLATR TCXO 12.0 MHZ 3.3V SMD
- FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 30V 40A POWER33
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
- 存储器 Fremont Micro Devices USA 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC EEPROM 16KBIT 1MHZ 8DIP
- TVS - 变阻器，MOV Stackpole Electronics Inc 0603（1608 公制） SUPPRESSOR ESD 0.2PF 12VDC 0603
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 0805（2012 公制） CAP FILM 2200PF 50VDC 0805
- 振荡器 Fox Electronics 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSCILLTR TCXO14.7456MHZ 3.3V SMD
- FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-MLP，MicroFET? MOSFET P-CH 20V 18A 8-MLP
- FFC，FPC（扁平软线）- 连接器 - 面板安装 Hirose Electric Co Ltd CONN FPC/FFC 10POS .5MM HORZ SMD
- 存储器 Fremont Micro Devices USA 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC EEPROM 16KBIT 1MHZ 8MSOP
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 0805（2012 公制） CAP FILM 270PF 50VDC 0805
- TVS - 变阻器，MOV Stackpole Electronics Inc 0603（1608 公制） SUPPRESSOR ESD 0.2PF 5.5VDC 0603
- 振荡器 Fox Electronics 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSCILLATOR TCXO 25.0MHZ 3.3V SMD
0755-82561519 
0755-82865294 
0755-82574045 
0755-84507209 
0512-67241533 
010-62962871、 
18927479189 
0755-23915992 
0755-83747144 
19129493510 
0755- 8251939 
13510131896 
0755-88917652 
0755-82561519 
0755-18503085 
