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FQB50N06LTM详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：52.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫欧 @ 26.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1630pF @ 25V; 功率_最大：3.75W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D²PAK; 包装：Digi-Reel®

FQB50N06LTM详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：52.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫欧 @ 26.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1630pF @ 25V; 功率_最大：3.75W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D²PAK; 包装：剪切带 (CT)

FQB50N06LTM详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：52.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫欧 @ 26.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1630pF @ 25V; 功率_最大：3.75W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D²PAK; 包装：带卷 (TR)

FQB50N06TM详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1540pF @ 25V; 功率_最大：3.75W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D²PAK; 包装：带卷 (TR)

FQB50N06TM详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1540pF @ 25V; 功率_最大：3.75W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D²PAK; 包装：剪切带 (CT)

FQB50N06TM详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫欧 @ 25A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1540pF @ 25V; 功率_最大：3.75W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D²PAK; 包装：Digi-Reel®

FHG.1B.306.CLAD52
连接器，互连器件 LEMO PLUG 90 CDG 6CTS C-COL
FQP9N25CTSTU
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220
FQB4N25TM
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 250V 3.6A D2PAK
GSC30DTEH
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 60POS .100 EYELET
FHG.1B.307.CLAD52Z
连接器，互连器件 LEMO PLUG 90 CDG 7CTS C-COL
FQP9P25
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET P-CH 250V 9.4A TO-220
FQB50N06LTM
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK
GSC30DTES
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 60POS .100 EYELET
FHG.1B.308.CYCD42
连接器，互连器件 LEMO PLUG 90 CDG 8CTS C-COL
FQPF12N60
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 600V 5.8A TO-220F
FHG.1B.308.CYCD52Z
连接器，互连器件 LEMO PLUG 90 CDG 8CTS D-COL
GSC31DRES-S13
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 62POS .100 EXTEND
FQB5N15TM
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 150V 5.4A D2PAK
FQPF12N60CT
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 600V 12A TO-220F
FHG.1B.308.CYCD72
连接器，互连器件 LEMO PLUG 90 CDG 8CTS D-COL

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