FQB13N50CTM详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 500V 13A D2PAK
- 系列：QFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：13A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：480 毫欧 @ 6.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2055pF @ 25V
- 功率_最大：195W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D²PAK
- 包装：带卷 (TR)
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 4.70 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 6.8PF 50V RADIAL
- 陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 330PF 50V 10% X7R 0603
- 陶瓷 TDK Corporation - CAP CER 0.47UF 100V 10% X7R 1210
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
- 陶瓷 TDK Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 0.22UF 250V 10% X7R 1210
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 4.70 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 220PF 100V 5% RADIAL
- 陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 3300PF 50V 10% X7R 0603
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 4.87 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 0.033UF 50V 10% X7R 0603
- 陶瓷 TDK Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 6800PF 630V 5% NP0 1210
- 陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 100PF 250V 5% RADIAL
- 陶瓷 TDK Corporation - CAP CER 0.47UF 100V 10% X7R 1210
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 250V 15.6A D2PAK
0755-82865294 
0512-67241533 
18927479189 
15026993318 / 
15821228847 / 
19166203057 
0755-82574045 
0755-82533534 
0755-82170267 
19520735817/1 
075584505750 
755-83252273 
83209217 
0755-83291010 
0755-88291559 
