FLZ8V2C详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD-80
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:8.2V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):1.2V @ 200mA
- 电流_在Vr时反向漏电:300nA @ 5V
- 容差:±3%
- 功率_最大:500mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:6.6 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOD-80
- 供应商设备封装:SOD-80
- 包装:Digi-Reel®
FLZ8V2C详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD-80
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:8.2V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):1.2V @ 200mA
- 电流_在Vr时反向漏电:300nA @ 5V
- 容差:±3%
- 功率_最大:500mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:6.6 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOD-80
- 供应商设备封装:SOD-80
- 包装:剪切带 (CT)
FLZ8V2C详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD-80
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:8.2V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):1.2V @ 200mA
- 电流_在Vr时反向漏电:300nA @ 5V
- 容差:±3%
- 功率_最大:500mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:6.6 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOD-80
- 供应商设备封装:SOD-80
- 包装:带卷 (TR)
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 119-BGA IC SRAM 4MBIT 166MHZ 119BGA
- 通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 40 OHM 6.5W 5% WW AXIAL
- 单二极管/齐纳 Fairchild Semiconductor SOD-80 DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD-80
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES FUSIBLE WW 1.8 OHM 7W 1% AX
- 接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC VOICE REC/PLAY 6MIN 28-SOIC
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 15UH 5% 1812
- 通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 4K OHM 6.5W 5% WW AXIAL
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 165-TBGA IC SRAM 4MBIT 166MHZ 165FBGA
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 128-LQFP IC SRAM 4MBIT 133MHZ 128TQFP
- 接口 - 语音录制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-TSSOP (0.465", 11.80mm 宽) IC VOICE REC/PLAY 8MIN EX 28TSOP
- 固定式 Vishay Dale INDUCTOR WW 15UH 10% 1812
- 通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 4.7 OHM 6.5W 5% WW AXIAL
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 4MBIT 166MHZ 100TQFP
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 128-LQFP IC SRAM 4MBIT 133MHZ 128TQFP
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES FUSIBLE WW 3.3 OHM 7W 1% AX