FDU6030BL详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 10A I-PAK
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫欧 @ 10A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1143pF @ 15V
- 功率_最大：1.6W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
- 供应商设备封装：I-Pak
- 包装：管件
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 11.981350 MHZ SER 49US
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 24.576MHZ 20PF SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 1.43M OHM 1W 1% 2512 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Bourns Inc. 0603（1608 公制） RES 15K OHM 1/10W .01% 0603 SMD
- 陶瓷 Kemet 2522（6456 公制）宽（长侧）2225（5664 公制） CAP CER 0.015UF 50V 2% NP0 2225
- 陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 3.3UF 35V 10% X7R 1206
- 晶体 ECS Inc HC49/U CRYSTAL 1.8432 MHZ 13PF 49UA
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 12.000393 MHZ 18PF 49US
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 1.5M OHM 1W 5% 2512 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Bourns Inc. 0805（2012 公制） RES 25.5K OHM 1/8W .1% 0805 SMD
- 陶瓷 Kemet 2522（6456 公制）宽（长侧）2225（5664 公制） CAP CER 0.15UF 100V 10% X7R 2225
- 陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 3.3UF 35V 10% X7R 1206
- 晶体 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 12.000393MHZ 18PF SMD
- 晶体 ECS Inc HC49/U CRYSTAL 1.8432 MHZ 32PF 49U
0755-83291010 
075582788161 
0755-22929859 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83777708 
0755-83268779 
0755-83247290 
0755-/8321846 
0755-83231869 
15821228847 / 
010-62962871、 
0755-８２７８９２９６ 
0755-83223003 
