FDT439N 全国供应商、价格、PDF资料

FDT439N详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT-223

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.3A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 6.3A，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：500pF @ 15V

功率_最大：1.1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SOT-223-3

包装：Digi-Reel®

FDT439N详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT-223

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.3A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 6.3A，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：500pF @ 15V

功率_最大：1.1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SOT-223-3

包装：带卷 (TR)

FDT439N详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT-223

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.3A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫欧 @ 6.3A，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：500pF @ 15V

功率_最大：1.1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商设备封装：SOT-223-3

包装：剪切带 (CT)