FDS6690A详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫欧 @ 11A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1205pF @ 15V
- 功率_最大：1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOIC N
- 包装：带卷 (TR)
FDS6690A详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫欧 @ 11A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1205pF @ 15V
- 功率_最大：1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOIC N
- 包装：Digi-Reel®
FDS6690A详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫欧 @ 11A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1205pF @ 15V
- 功率_最大：1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOIC N
- 包装：剪切带 (CT)
FDS6690AS详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
- 系列：PowerTrench®, SyncFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫欧 @ 10A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：910pF @ 15V
- 功率_最大：1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
FDS6690AS详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
- 系列：PowerTrench®, SyncFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫欧 @ 10A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：910pF @ 15V
- 功率_最大：1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：剪切带 (CT)
FDS6690AS详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
- 系列：PowerTrench®, SyncFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫欧 @ 10A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：910pF @ 15V
- 功率_最大：1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：Digi-Reel®
- PMIC - 电压基准 Texas Instruments 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 IC VREF SHUNT PREC 5V SC-70-5
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Maxim Integrated 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC TXRX RS485/422 10MBPS 14-SOIC
- FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 2POS PIN
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1210（3225 公制） RES 909 OHM 1/4W 1% 1210 SMD
- 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC SWITCH SPST SOT23-5
- 评估板 - 音频放大器 Texas Instruments 24-WFQFN 裸露焊盘 BOARD EVALUATION LM4855LQ
- 接口 - 传感器和探测器接口 Maxim Integrated 12-TQFN 裸露焊盘 IC AMP TRANSIMPEDANCE 12TQFN
- PMIC - 电压基准 Texas Instruments 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 IC VREF SHUNT PREC 5V SC-70-5
- 连接器，互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 2POS STRGHT W/PINS
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1210（3225 公制） RES 90.9K OHM 1/4W 1% 1210 SMD
- 线性 - 音頻放大器 Texas Instruments 24-WFQFN 裸露焊盘 IC AMP AUDIO PWR 1.5W MONO 24LLP
- 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 Texas Instruments 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 IC SWITCH SPST SC70-5
- 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 Maxim Integrated 16-DIP（0.300"，7.62mm） IC SWITCH DUAL DPST 16DIP
- PMIC - 电压基准 Texas Instruments TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 5V SOT-23-3
0755-18503085 
0755-83777708 
0755-83291010 
13410941925 
755-83252273 
0755-82569753 
0755-15913992 
0755-22655674 
0755-82522939 
13424184668 
18927479189 
0755-83663430 
0755-82778126 
0755-23915992 
0755-82704952 
0755-88917652 
