

FDS6675详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫欧 @ 11A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:42nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3000pF @ 15V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
FDS6675详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫欧 @ 11A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:42nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3000pF @ 15V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
FDS6675详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:14 毫欧 @ 11A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:42nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3000pF @ 15V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
FDS6675A详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13 毫欧 @ 11A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2330pF @ 15V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
FDS6675BZ详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Optoelectronics Group
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13 毫欧 @ 11A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:62nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2470pF @ 15V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:Digi-Reel®
FDS6675BZ详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Optoelectronics Group
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13 毫欧 @ 11A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:62nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2470pF @ 15V
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:剪切带 (CT)
- 芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0805(2012 公制) RES ANTI-SULFUR 60.4KOHM 1% 0805
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 30POS DIP .100 SLD
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 98POS DIP .125 SLD
- 固定式 SUMIDA AMERICA COMPONENTS INC 非标准 INDUCTOR 15UH 2A SHIELDED
- FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC
- 芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 1210(3225 公制) RES ANTI-SULFUR 13.7 OHM 1% 1210
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div EVENT INPUT OPTION E5CK
- 芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0805(2012 公制) RES ANTI-SULFUR 6.19KOHM 1% 0805
- 芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 1210(3225 公制) RES ANTI-SULFUR 1.4K OHM 1% 1210
- 固定式 SUMIDA AMERICA COMPONENTS INC 非标准 INDUCTOR 22UH 1.6A SHIELDED
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 30POS DIP .100 SLD
- 芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0805(2012 公制) RES ANTI-SULFUR 634 OHM 1% 0805
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TRANSFER OUTPUT OPTION E5CK
- 芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 1210(3225 公制) RES ANTI-SULFUR 1.43KOHM 1% 1210
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 100PS .125 EXTEND