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FDS4435详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 8.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1604pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

FDS4435详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 8.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1604pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

FDS4435A详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17 毫欧 @ 9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2010pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

FDS4435A详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17 毫欧 @ 9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2010pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

FDS4435BZ详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 8.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1845pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

FDS4435BZ详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 8.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1845pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

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FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-SOIC
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DJT14F23-35SA
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 100POS JAM NUT W/SKT
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