FDD6N25TF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
- 系列：UniFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 欧姆 @ 2.2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V
- 功率_最大：50W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
FDD6N25TF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
- 系列：UniFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 欧姆 @ 2.2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V
- 功率_最大：50W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：剪切带 (CT)
FDD6N25TF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
- 系列：UniFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 欧姆 @ 2.2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V
- 功率_最大：50W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：Digi-Reel®
FDD6N25TM详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
- 系列：UniFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 欧姆 @ 2.2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V
- 功率_最大：50W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：剪切带 (CT)
FDD6N25TM详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
- 系列：UniFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 欧姆 @ 2.2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V
- 功率_最大：50W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
FDD6N25TM详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
- 系列：UniFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：250V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 欧姆 @ 2.2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V
- 功率_最大：50W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：Digi-Reel®
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 180PF 50V 5% S2H 0603
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK
- 连接器，互连器件 LEMO PLUG CDG 4CTS C-COL
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 3AB，3AG，1/4" x 1-1/4" CONN EDGECARD 120POS .050 SMD
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 5.4PF 50V U2J 0402
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS DIP .100 SLD
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 1.6PF 50V S2H 0603
- FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-TDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-PQFN
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 3AB，3AG，1/4" x 1-1/4" CONN EDGECARD 120POS .050 SLD
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 5.7PF 50V U2J 0402
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS DIP .100 SLD
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 1.7PF 50V S2H 0603
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 3AB，3AG，1/4" x 1-1/4" CONN EDGECARD 120POS .050 SLD
- 连接器，互连器件 LEMO PLUG CDG 5CTS C-COL
0755-82723761 
13410941925 
0755-83291010 
0755-84507209 
0755-23991909 
010-62962871、 
0755-83747144 
13510131896 
0755-88917652 
0755-22929859 
0755-18503085 
0755- 8251939 
15112667855 
15914072177 
0755-82524712 
