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FDD6780详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 25V 16.5A D-PAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：25V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：16.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫欧 @ 16.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1590pF @ 13V; 功率_最大：3.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：Digi-Reel®

FDD6780详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 25V 16.5A D-PAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：25V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：16.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫欧 @ 16.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1590pF @ 13V; 功率_最大：3.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：剪切带 (CT)

FDD6780详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 25V 16.5A D-PAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：25V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：16.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫欧 @ 16.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1590pF @ 13V; 功率_最大：3.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

FDD6780A详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 25V 16.4A DPAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：25V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：16.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.6 毫欧 @ 16.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1235pF @ 13V; 功率_最大：3.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：剪切带 (CT)

FDD6780A详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 25V 16.4A DPAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：25V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：16.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.6 毫欧 @ 16.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1235pF @ 13V; 功率_最大：3.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

FDD6780A详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 25V 16.4A DPAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：25V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：16.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.6 毫欧 @ 16.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1235pF @ 13V; 功率_最大：3.7W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：Digi-Reel®

GJM1555C1H8R7BB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 8.7PF 50V NP0 0402
GLF-464-074-511-D
模块 I.O. Interconnect 0805（2012 公制） ASSEMBLY 6 POSITION 4 CONTACT
FDD6780
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 25V 16.5A D-PAK
F03-20
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 径向 - 4 引线 TERM BLOCK FOR K7L-AT50
FA1-NHSJ-C09-0
同轴，RF Amphenol-RF Division CONN JACK FAKRA .057 OD CABLE
GMM25DREI
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 50POS .156 EYELET
F58000233
成角度，线性位置测量 Honeywell Sensing and Control 径向，圆盘 POS TRANS-XDCR LT 3IN 3K/0.1%
GJM1555C1H8R7WB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 8.7PF 50V NP0 0402
GLF-464-144-500-D
模块 I.O. Interconnect 0805（2012 公制） ASSEMBLY 6 POSITION 4 CONTACT
GMM25DRKH
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 50POS DIP .156 SLD
FA1-NISJ-C01-6
同轴，RF Amphenol-RF Division CONN JACK FAKRA RG-174/316
F5KA833M0D4MG-Z
SAW 滤波器 Taiyo Yuden 5-SMD，无引线 FILTER SAW 833MHZ CDMA2000
GJM1555C1H8R8BB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 8.8PF 50V NP0 0402
GLF-466-076-501-D
模块 I.O. Interconnect 0805（2012 公制） ASSEMBLY 6 POSITION 6 CONTACT
F03-20
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 径向 - 4 引线 TERM BLOCK FOR K7L-AT50

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