

FDD6680详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:12A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 12A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1230pF @ 15V
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
FDD6680A详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 14A DPAK
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫欧 @ 14A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1425pF @ 15V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
FDD6680AS详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:55A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10.5 毫欧 @ 12.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1200pF @ 15V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:Digi-Reel®
FDD6680AS详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:55A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10.5 毫欧 @ 12.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1200pF @ 15V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
FDD6680AS详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:55A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10.5 毫欧 @ 12.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1200pF @ 15V
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 100PS .050 DIP SLD
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 20POS .100 EYELET
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 48POS R/A .156 SLD
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 14A DPAK
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 6.7PF 50V R2H 0603
- FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-PQFN,Power56 MOSFET N-CH 30V 22A POWER56
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN CARD EXTEND 100PS .050" SLD
- 连接器,互连器件 LEMO PLUG CDG 6CTS C-COL
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 20POS .100 EYELET
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 7.3PF 50V R2H 0603
- FET - 单 Fairchild Semiconductor 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 14A POWER56
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN CARD EXTEND 100PS .050" SLD
- 连接器,互连器件 LEMO PLUG CDG 6CTS
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 20POS .100 EXTEND
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 200PF 50V 2% U2J 0402