

FDD5N50FTF_WS详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
- 系列:UniFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.55 欧姆 @ 1.75A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 25V
- 功率_最大:40W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
FDD5N50FTM_WS详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
- 系列:UniFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.55 欧姆 @ 1.75A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 25V
- 功率_最大:40W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
FDD5N50FTM_WS详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
- 系列:UniFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.55 欧姆 @ 1.75A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 25V
- 功率_最大:40W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
FDD5N50FTM_WS详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
- 系列:UniFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.55 欧姆 @ 1.75A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 25V
- 功率_最大:40W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:Digi-Reel®
FDD5N50NZFTM详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 500V DPAK
- 系列:UniFET-II™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.75 欧姆 @ 1.85A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:485pF @ 25V
- 功率_最大:62.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:TO-252,(D-Pak)
- 包装:带卷 (TR)
FDD5N50NZFTM详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 500V DPAK
- 系列:UniFET-II™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.75 欧姆 @ 1.85A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:485pF @ 25V
- 功率_最大:62.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:TO-252,(D-Pak)
- 包装:剪切带 (CT)
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 7POS PANEL MNT W/SCKT
- 振荡器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD,无引线(DFN,LCC) OSCILLATOR 24.7040 MHZ SMT
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
- 时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 32-VFQFN 裸露焊盘 IC PLL CLK GEN 200MHZ 32VFQFN
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 2416(6041 公制) CAP FILM 0.012UF 400VDC 2416
- 振荡器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD,无引线(DFN,LCC) OSCILLATOR 29.4912 MHZ SMT
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 3POS PANEL MNT W/SCKT
- 风扇 - DC Copal Electronics Inc 径向,扁椭圆形 FAN 12VDC 41X12.2MM .48W 3.88CFM
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 2416(6041 公制) CAP FILM 0.015UF 400VDC 2416
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 75A D-PAK
- 时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC CLK GENERATOR LOW EMI 8SOIC
- 振荡器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD,无引线(DFN,LCC) OSCILLATOR 8.0000 MHZ SMT
- 风扇 - DC Copal Electronics Inc 径向,扁椭圆形 FAN 12VDC 41X12.2MM .48W 3.53CFM
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK