FDC6401N详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V SSOT-6
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫欧 @ 3A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4.6nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：324pF @ 10V
- 功率_最大：700mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
- 供应商设备封装：6-SSOT
- 包装：Digi-Reel®
FDC6401N详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V SSOT-6
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫欧 @ 3A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4.6nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：324pF @ 10V
- 功率_最大：700mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
- 供应商设备封装：6-SSOT
- 包装：带卷 (TR)
FDC6401N详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH DUAL 20V SSOT-6
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫欧 @ 3A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：4.6nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：324pF @ 10V
- 功率_最大：700mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
- 供应商设备封装：6-SSOT
- 包装：剪切带 (CT)
FDC640P详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：53 毫欧 @ 4.5A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：890pF @ 10V
- 功率_最大：800mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
- 供应商设备封装：6-SSOT
- 包装：Digi-Reel®
FDC640P详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：53 毫欧 @ 4.5A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：890pF @ 10V
- 功率_最大：800mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
- 供应商设备封装：6-SSOT
- 包装：剪切带 (CT)
FDC640P详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 20V 4.5A SSOT-6
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：53 毫欧 @ 4.5A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：890pF @ 10V
- 功率_最大：800mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
- 供应商设备封装：6-SSOT
- 包装：带卷 (TR)
- 振荡器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSCILLATOR 27.0000 MHZ SMD
- FET - 单 Fairchild Semiconductor SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 MOSFET P-CH 20V 2.2A SSOT-6
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1913（4833 公制） CAP FILM 1000PF 250VDC 1913
- 振荡器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSCILLATOR 29.4912 MHZ SMD
- 连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 6POS PANEL MNT W/PINS
- 成角度，线性位置测量 Honeywell Sensing and Control POS TRANS-XDCR MLT 4 IN
- 时钟/计时 - 时钟缓冲器，驱动器 IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LQFP IC CLOCK BUFFER MUX 2:6 32-TQFP
- FET - 阵列 Fairchild Semiconductor SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 MOSFET N-CH DUAL 20V SSOT-6
- 振荡器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSCILLATOR 33.3330 MHZ SMD
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向，圆盘 CAP CER 390PF 2KV 10% RADIAL
- 连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 6POS PANEL MNT W/PINS
- 振荡器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSCILLATOR 50.0000 MHZ SMD
- FET - 阵列 Fairchild Semiconductor SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 MOSFET N/P-CH 20V 3.0A SSOT-6
- 振荡器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSCILLATOR 66.6660 MHZ SMD
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向，圆盘 CAP CER 390PF 2KV 10% RADIAL
0755-82574045 
0755-82522939 
19166203057 
0755-83291010 
0755-83202411 
0755-83987779 
18674491576 
0755-83051566 
0755-84507209 
0755*83682918 
0512-67241533 
0755-83209630 
0755-82561519 
010-62962871、 
18927479189 
