FDB2670详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：19A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫欧 @ 10A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1320pF @ 100V
- 功率_最大：93W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：TO-263AB
- 包装：带卷 (TR)
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
- RF 评估和开发套件，板 Maxim Integrated 73-WLP KIT EVAL FOR MAX2839
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
- 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 Maxim Integrated 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC SWITCH QUAD SPST 16SOIC
- 数据采集 - 数字电位器 Microchip Technology 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 IC DGTL POT 10K 128TAPS SC70-5
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
- RF 发射器 Maxim Integrated 68-TQFN 裸露焊盘 TRANSMITTER MIMO 5GHZ 4CH 68TQFN
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 953K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 2512（6432 公制） RES 845 OHM 1W 1% 2512 SMD
- 数据采集 - 数字电位器 Microchip Technology 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 IC DGTL POT 5K 128TAPS SC70-5
- 接口 - 驱动器，接收器，收发器 Maxim Integrated 28-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） IC TXRX W/RS232 28-SSOP
- RF 其它 IC 和模块 Maxim Integrated 32-WFQFN 裸露焊盘 RF FRACT INTR N SYNTH VCO 32TQFN
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 500V DPAK
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 95.3 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 2512（6432 公制） RES 84.5 OHM 1W 1% 2512 SMD
0755-83291010 
0755-82542579 
0755-82865294 
0755-83777708 
0755-89697985 
0755-88291559 
755-83252273 
0755-82569753 
010-62962871、 
18927479189 
171-4755-1968 
755-83349415/ 
0755- 8251939 
0755-82170267 
0755-83223003 
