

FDB045AN08A0详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:90A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫欧 @ 80A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:138nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6600pF @ 25V
- 功率_最大:310W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D²PAK
- 包装:剪切带 (CT)
FDB045AN08A0详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:90A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫欧 @ 80A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:138nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6600pF @ 25V
- 功率_最大:310W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D²PAK
- 包装:Digi-Reel®
FDB045AN08A0详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:90A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫欧 @ 80A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:138nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6600pF @ 25V
- 功率_最大:310W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D²PAK
- 包装:带卷 (TR)
FDB045AN08A0_F085详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:19A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫欧 @ 80A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:138nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6600pF @ 25V
- 功率_最大:310W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:TO-263-2
- 包装:剪切带 (CT)
FDB045AN08A0_F085详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:19A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫欧 @ 80A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:138nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6600pF @ 25V
- 功率_最大:310W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:TO-263-2
- 包装:Digi-Reel®
FDB045AN08A0_F085详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:75V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:19A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫欧 @ 80A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:138nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:6600pF @ 25V
- 功率_最大:310W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:TO-263-2
- 包装:带卷 (TR)
- 放大器 Omron Electronics Inc-IA Div - PREWIRED A/D NPN FO AMP
- 芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0402(1005 公制) RES ANTI-SULFUR 2.55KOHM 1% 0402
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK
- 芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0603(1608 公制) RES 25.5K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 3AB,3AG,1/4" x 1-1/4" CONN EDGECARD 40POS R/A .050 SLD
- 芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0603(1608 公制) RES 120K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div BRACKET HORIZ 20 DEG ANGL ADJUST
- 芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0402(1005 公制) RES ANTI-SULFUR 26.1 OHM 1% 0402
- 放大器 Omron Electronics Inc-IA Div - ATC AMP, PNP, PREWIRED
- 芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0603(1608 公制) RES 255K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div L-BRACKET REAR MNT VERT FOR E3V3
- 芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0603(1608 公制) RES 1.20M OHM 1/10W 1% 0603 SMD
- 放大器 Omron Electronics Inc-IA Div - PREWIRED DIGITAL PNP FO AMP
- 芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0402(1005 公制) RES ANTI-SULFUR 27.4KOHM 1% 0402
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB