FCX1149ATA 全国供应商、价格、PDF资料

FCX1149ATA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 25VCE 3A SOT-89

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：25V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：350mV @ 140mA，4A

电流_集电极截止（最大）：100nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：250 @ 500mA，2V

功率_最大：2W

频率_转换：135MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

供应商设备封装：SOT-89-3

包装：带卷 (TR)

FCX1149ATA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 25VCE 3A SOT-89

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：25V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：350mV @ 140mA，4A

电流_集电极截止（最大）：100nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：250 @ 500mA，2V

功率_最大：2W

频率_转换：135MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

供应商设备封装：SOT-89-3

包装：剪切带 (CT)

FCX1149ATA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP 25VCE 3A SOT-89

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：25V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：350mV @ 140mA，4A

电流_集电极截止（最大）：100nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：250 @ 500mA，2V

功率_最大：2W

频率_转换：135MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

供应商设备封装：SOT-89-3

包装：Digi-Reel®