FCD5N60TM的供应信息|PDF资料|求购FCD5N60TM上51电子网

FCD5N60TM详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK; 系列：SuperFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：950 毫欧 @ 2.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：600pF @ 25V; 功率_最大：54W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：剪切带 (CT)

FCD5N60TM详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK; 系列：SuperFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：950 毫欧 @ 2.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：600pF @ 25V; 功率_最大：54W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：Digi-Reel®

FCD5N60TM详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK; 系列：SuperFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：950 毫欧 @ 2.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：600pF @ 25V; 功率_最大：54W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

FCD5N60TM_WS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK; 系列：SuperFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：950 毫欧 @ 2.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：600pF @ 25V; 功率_最大：54W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：剪切带 (CT)

FCD5N60TM_WS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK; 系列：SuperFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：950 毫欧 @ 2.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：600pF @ 25V; 功率_最大：54W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：Digi-Reel®

FCD5N60TM_WS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK; 系列：SuperFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：950 毫欧 @ 2.3A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：600pF @ 25V; 功率_最大：54W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

FCD121250TP
保险丝 Littelfuse Inc 1206（3216 公制） FUSE FAST-ACT 2.50A 50V 1206 SMD
CMF50576K00FKR6
通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 576K OHM 1/4W 1% AXIAL
GB15JVF
按钮 NKK Switches 0404（1010 公制） SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V
GCA14DTAT
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 珠，玻璃 CONN EDGECARD 28POS R/A .125 SLD
GBJ2508-G
桥式整流器 Comchip Technology GBJ RECTIFIER BRIDGE 25A 800V GBJ
CMF5510K700BEEB
通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 10.7K OHM 1/2W 0.1% AXIAL
GRM0336T1E130GD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 13PF 25V 2% T2H 0201
FCD4N60TM
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
GCA14DTKI
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 珠，玻璃 CONN EDGECARD 28POS DIP .125 SLD
CMF5510K700BHR6
通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 10.7K OHM 1/2W .1% AXIAL
GBJ2508-G-06
桥式整流器 Comchip Technology GBJ RECTIFIER BRIDGE 25A 800V GBJ
GRM0336T1E130GD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 13PF 25V 2% T2H 0201
GCA14DTKI-S288
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 珠，玻璃 CONN EDGECARD 28POS .125 EXTEND
GB215AB
按钮 NKK Switches 0404（1010 公制） SWITCH PUSH SPST-NO 0.4VA 28V
CMF5510K700FKEA
通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 10.7K OHM 1/2W 1% AXIAL

FCD5N60TM 全国供应商、价格、PDF资料