FCD4N60TM的供应信息|PDF资料|求购FCD4N60TM上51电子网

FCD4N60TM详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK; 系列：SuperFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16.6nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：540pF @ 25V; 功率_最大：50W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：剪切带 (CT)

FCD4N60TM详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK; 系列：SuperFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16.6nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：540pF @ 25V; 功率_最大：50W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

FCD4N60TM详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK; 系列：SuperFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16.6nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：540pF @ 25V; 功率_最大：50W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：Digi-Reel®

FCD4N60TM_WS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK; 系列：SuperFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16.6nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：540pF @ 25V; 功率_最大：50W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

FCD4N60TM_WS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK; 系列：SuperFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16.6nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：540pF @ 25V; 功率_最大：50W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：剪切带 (CT)

FCD4N60TM_WS详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK; 系列：SuperFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16.6nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：540pF @ 25V; 功率_最大：50W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：Digi-Reel®

FAD1-06020CBJW11
风扇 - DC Qualtek FAN 60X20MM 12VDC BALL WIRE
DBMMF21W1SM
D-Sub ITT Cannon DSUB 21W1 F
ERJ-3EKF3741V
芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0603（1608 公制） RES 3.74K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
DDMA50PA101
D-Sub ITT Cannon DSUB 50 M CRIMP G CAD
ERJ-3EKF1152V
芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0603（1608 公制） RES 11.5K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
FCD4N60TM_WS
FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
FAD1-06020DHMW11
风扇 - DC Qualtek FAN 60X20MM 24VDC HYDRO WIRE
DBMMF25PF179
D-Sub ITT Cannon DSUB 25 M WW2 FLOA G50
ERJ-3EKF37R4V
芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0603（1608 公制） RES 37.4 OHM 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF1182V
芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0603（1608 公制） RES 11.8K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
DBMMF25SE
D-Sub ITT Cannon DSUB 25 F
FAD1-06025BHMW12
风扇 - DC Qualtek FAN 60X25MM 5VDC HYDRO WIRE
ERJ-3EKF3830V
芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0603（1608 公制） RES 383 OHM 1/10W 1% 0603 SMD
DDMA-50S
D-Sub ITT Cannon, LLC CONN DSUB RCPT 50POS CRIMP
ERJ-3EKF11R0V
芯片电阻 - 表面安装 Panasonic Electronic Components 0603（1608 公制） RES 11.0 OHM 1/10W 1% 0603 SMD

FCD4N60TM 全国供应商、价格、PDF资料