FCD4N60TF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
- 系列：SuperFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16.6nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：540pF @ 25V
- 功率_最大：50W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
FCD4N60TF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
- 系列：SuperFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16.6nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：540pF @ 25V
- 功率_最大：50W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：剪切带 (CT)
FCD4N60TF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
- 系列：SuperFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16.6nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：540pF @ 25V
- 功率_最大：50W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：Digi-Reel®
FCD4N60TM详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
- 系列：SuperFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16.6nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：540pF @ 25V
- 功率_最大：50W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：剪切带 (CT)
FCD4N60TM详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
- 系列：SuperFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16.6nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：540pF @ 25V
- 功率_最大：50W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
FCD4N60TM详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
- 系列：SuperFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.9A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 2A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16.6nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：540pF @ 25V
- 功率_最大：50W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：Digi-Reel®
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 200V 17A DPAK
- 箱 Hammond Manufacturing BOX STEEL 48X8X5" GREY
- 保险丝 Littelfuse Inc 1206（3216 公制） FUSE FAST-ACT 5A 32V 1206 SMD
- 陶瓷 Vishay BC Components 径向，圆盘 CAP CER 270PF 2KV 10% RADIAL
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
- 圆形 - 外壳 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 12POS BOX MT SCKT
- 时钟/计时 - 时钟缓冲器，驱动器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SSOP（0.154"，3.90mm 宽） IC CLK BUFFER 1:5 100MHZ 20-QSOP
- 箱 Hammond Manufacturing BOX STEEL 48X10X6" GREY
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
- 线路滤波器 Curtis Industries 144-LQFP FILTER HI PERFORM 6A FASTON
- 连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 5POS BOX MNT W/SCKT
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
- 时钟/计时 - 时钟缓冲器，驱动器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC CLK BUFFER 1:5 100MHZ 20-SOIC
- 箱 Hammond Manufacturing BOX STEEL 60X10X6" GREY
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
0755-82723761 
0755-83291010 
0755-84507209 
0755-83242658 
13510131896 
0755-88917652 
0755-82561519 
0755-18503085 
0755-82865294 
0755-22929859 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83223003 
0755-83777708 
