EMX1T2R 全国供应商、价格、PDF资料

EMX1T2R详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：EMX1 SERIES 50 V 0.15 A SMT NPN

系列：*

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：

电流_集电极333Ic444（最大）：

电压_集电极发射极击穿（最大）：

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：

电流_集电极截止（最大）：

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：

功率_最大：

频率_转换：

安装类型：

封装/外壳：

供应商设备封装：

包装：

EMX1T2R详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：TRANS DUAL NPN 50V 150MA EMT6

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：2 NPN（双）

电流_集电极333Ic444（最大）：150mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 5mA，50mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：120 @ 1mA，6V

功率_最大：150mW

频率_转换：180MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

供应商设备封装：EMT6

包装：带卷 (TR)

EMX1T2R详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：TRANS DUAL NPN 50V 150MA EMT6

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：2 NPN（双）

电流_集电极333Ic444（最大）：150mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 5mA，50mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：120 @ 1mA，6V

功率_最大：150mW

频率_转换：180MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

供应商设备封装：EMT6

包装：Digi-Reel®

EMX1T2R详细规格

类别：晶体管(BJT) - 阵列

描述：TRANS DUAL NPN 50V 150MA EMT6

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：2 NPN（双）

电流_集电极333Ic444（最大）：150mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：50V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 5mA，50mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：120 @ 1mA，6V

功率_最大：150mW

频率_转换：180MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

供应商设备封装：EMT6

包装：剪切带 (CT)